二极管三极管名称的序列号和规格代表什么？
半导体器件的模型由五部分组成(场效应器件、半导体专用器件、复合管、PIN管、激光器的模型只命名第三、第四、第五部分)。这五个部分的含义如下:
第一部分:半导体器件的有效电极数用数字表示。2个二极管，3个晶体管
第二部分:半导体器件的材料和极性用汉语拼音字母表示。二极管有A-N锗材料、B-P锗材料、C-N硅材料和D-P硅材料。代表三极管时:A-PNP型锗材料，B-NPN型锗材料，C-PNP型硅材料，D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音表示半导体器件的内部类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流电抗器、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F；3MHz，Pc & lt1W)、D-低频大功率管(F；3MHz，Pc & gt1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、Y体效应器件、B雪崩管、J步恢复管、CS场效应管、BT半导体专用器件、FH复合管、PIN管、JG激光器。
第四部分:编号
第五部分:用汉语拼音表示规格号。
比如3DG18代表NPN硅高频三极管。
2、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件由五到七个部分组成。通常只使用前五部分，各部分的象征意义如下:
第一部分:装置有效电极的数量或类型用数字表示。0-光电(即光敏)二极管三极管及其组合管，1-二极管，2-三极管或其它有两个pn结的器件，3-其它有四个有效电极或三个pn结的器件，等等。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册商标。代表在JEIA注册的日本电子工业协会的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示设备中所用材料的极性和类型。A-PNP高频晶体管，B-PNP低频晶体管，C-NPN高频晶体管，D-NPN低频晶体管，F-P栅晶闸管，G-N栅晶闸管，H-N基区单结晶体管，J-P沟道场效应晶体管，K-N沟道场效应晶体管，M双向晶闸管。
第四部分:对日本电子工业协会在JEIA注册的序列号进行编号。两位数以上的整数——从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA注册的序列号；来自不同公司的具有相同性能的设备可以使用相同的序列号；数字越大，产品越新。
第五部分:用字母表示同型号的改进产品标志。a、B、C、D、E、F表示这个装置是原型号的改进产品。
3、美国半导体分立器件型号命名方法
美国的晶体管或其他半导体器件的命名相当混乱。美国电子工业协会半导体分立器件的命名方法如下:
第一部分:符号用于表示设备的类型。JAN-军用级别，JANTX-特种军用级别，JANTXV-超特种军用级别，JANS-航天级别，(无)-非军用物资。
第二部分:pn结数量用数字表示。1-二极管，2=三极管，3- 3 pn结器件，n-n pn结器件。
第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册商标。N-该设备已在美国电子工业协会(EIA)注册。
第四部分:美国电子工业协会注册序列号。多位数-在美国电子工业协会注册的设备序列号。
第五部分:用字母表示设备等级。同型号设备的a、b、c、d、┄┄-Different等级。比如JAN2N3251A代表PNP硅高频小功率开关晶体管，JAN-军用级，2-晶体管，N-EIA注册标志，3251-EIA注册序列号，A-2N3251A文件。
4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家，以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大多采用国际电子联合会半导体分立器件的型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号和含义如下:
第1部分:用字母表示设备中使用的材料。A-用于器件的材料的带隙宽度Eg=0.6~1.0eV，如锗，B-用于器件的材料的带隙宽度Eg=1.0~1.3eV，如硅，C-用于器件的材料的带隙宽度Eg >；1.3eV，如砷化镓，eg
第二部分:用字母表示设备的类型和主要特征。A-检波器开关混频二极管，B-变容二极管，C-低频小功率晶体管，D-低频大功率晶体管，E-隧道二极管，F-高频小功率晶体管，G-复合器件等器件，H-磁敏二极管，K-开磁路中的霍尔元件，L-高频大功率晶体管，M-闭磁路中的霍尔元件，P-光敏。
第三部分:用数字或字母加数字表示注册号。三位数字-代表一般半导体器件的注册号，一个字母加两位数字-代表特殊半导体器件的注册号。
第四部分:用字母对同类型的设备进行分类。a、b、c、d、E┄┄-表示相同型号的设备根据某个参数进行分类的符号。
除了四个基本部分外，有时还会加上后缀，以区分特征或进一步分类。常见的后缀如下:
1，齐纳二极管型号后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的允许误差范围。字母A、B、C、D和E分别表示允许误差为1%、2%、5%、10%和15%。后缀的第二部分是一个数字，代表标称稳定电压的整数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V后面的数字是稳压器标称稳定电压的十进制值。
2.整流二极管的后缀是一个数字，表示器件的最大反向峰值耐受电压，单位为伏特。
3.晶闸管型号的后缀也是数字，通常表示最大反向峰值耐受电压和最大反向关断电压中值较小的电压值。
比如BDX51-代表NPN硅低频大功率晶体管，AF239S-代表PNP锗高频小功率晶体管。
5、欧洲早期半导体分立器件模型命名法
欧洲的一些国家，如德国和荷兰，采用以下命名方法。
第1部分:O-代表半导体器件
第二部分:A-二极管，C-晶体管，AP-光电二极管，CP-光电晶体管，AZ-稳压器和RP-光电器件。
第三部分:多位数-表示设备的注册序列号。
第四部分:a、b、C┄┄-代表同型号装置的变型产品。
这里不介绍俄罗斯半导体器件型号命名法，因为很少使用。9013的完整型号为KTC9013(韩国)或SS9013(美国)。这四个数字仅代表注册时设备的序列号。